Directrices Generales De Ocupación De Ranuras Dimm; Directrices De Ocupación De Ecc Avanzada; Orden De Ocupación De Ecc Avanzada Con Un Procesador Individual - HP ProLiant DL380 G6 Guia Del Usuario

dispositivo DRAM de las DIMM de tipo x4 y x8. Las memorias DIMM de cada canal deben tener el
mismo número de referencia de HP.
El modo de sincronía utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no está ocupado. Dado que el canal 3 no puede
estar ocupado cuando se utiliza el modo de sincronía, la capacidad de memoria máxima es inferior que
la del modo ECC avanzada. El rendimiento de la memoria con ECC avanzada también es ligeramente
superior.
directrices generales de ocupación de ranuras DIMM
Respete las siguientes directrices para todos los modos de AMP:
● Ocupe las ranuras DIMM de un procesador sólo si el procesador está instalado.
●
Para maximizar el rendimiento en configuraciones de varios procesadores, distribuya la capacidad
de memoria total entre todos los procesadores de la manera más homogénea que sea posible.
●
No combine memorias DIMM registradas PC3 y memorias DIMM sin búfer.
●
Cada canal admite hasta dos DIMM sin búfer.
●
Si se instalan memorias DIMM de rango cuádruple para un procesador, se puede instalar un
máximo de dos DIMM en cada canal para dicho procesador.
● Si un canal contiene memorias DIMM de rango cuádruple, la DIMM de rango cuádruple debe
instalarse primero en dicho canal.
Las velocidades de DIMM admitidas se indican en la siguiente tabla.
Ranuras ocupadas (por canal)
1
1
2
3
Directrices de ocupación de ECC avanzada
Respete las siguientes directrices para configuraciones de modo ECC avanzada:
●
Respete las directrices generales de ocupación de ranuras DIMM
ocupación de ranuras DIMM en la página
● Es posible instalar las memorias DIMM individualmente.
Orden de ocupación de ECC avanzada con un procesador individual
Ocupe las ranuras DIMM en el siguiente orden para configuraciones de modo ECC avanzada con un
procesador individual:
●
RDIMM: de manera secuencial y en orden alfabético (de la A hasta la I)
●
UDIMM: de la A hasta la F, de manera secuencial y en orden alfabético. No ocupe las ranuras
DIMM de la G hasta la I.
ESES
Rango
Rango único o doble
Rango cuádruple
Rango único o doble
Rango único o doble
45).
Velocidades admitidas (MHz)
1333, 1066
1066
1066
800
(directrices generales de
Opciones de memoria 45