Directrices Generales De Ocupación De Ranuras De Dimm; Directrices De Ocupación De Memoria Ecc Avanzada; Directrices De Ocupación Del Auxiliar En Línea - HP ProLiant ML110 Gen9 Guía De Usuario

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contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
Instale solo los módulos DIMM si se instala el procesador correspondiente.
Las ranuras blancas de DIMM indican la primera ranura de un canal (C 1-A, C 2-B, C 3-C, C
4-D).
No combine RDIMM y LRDIMM.
Cuando se instala un procesador, se deben instalar los DIMM en orden alfabético: A, B, C, D, E,
F, etc.
Cuando los DIMM de rango único, doble y cuádruple se completan para dos DIMM por canal o
tres DIMM por canal, hágalo siempre primero en el DIMM con mayor rango (comenzando por la
ranura más lejana). Por ejemplo, el primer DIMM de rango cuádruple, después el DIMM de
rango doble y finalmente el DIMM de un solo rango.
Los DIMM deberán completarse a partir del más lejano del procesador en cada canal.
Para la sustitución de memoria auxiliar DIMM, instale los DIMM por número de ranura siguiendo
las instrucciones del software del sistema.
Para obtener más información acerca de la memoria del servidor, consulte la página web de HP
(http://www.hp.com/go/memory).
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
Ranuras ocupadas (por canal)
1
2
Directrices de ocupación de memoria ECC avanzada
Para las configuraciones del modo ECC avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de ranuras DIMM.
Es posible instalar los módulos DIMM de forma individual.
Directrices de ocupación del auxiliar en línea
Para las configuraciones del modo de memoria auxiliar en línea, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de ranuras DIMM.
Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida.
Cada canal puede tener una configuración auxiliar en línea válida distinta.
Cada canal ocupado debe disponer de un rango auxiliar. Un único módulo DIMM de rango
doble no es una configuración válida.
ESES
Rango
Rango único, doble y cuatro rangos
Rango único o rango doble
Velocidad compatible (MT/s)
2133
2133
Opciones de memoria
67

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