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5.1. CONDICIONES DE REFERENCIA
Magnitudes de influencia
Temperatura
Humedad relativa
Tensión de alimentación
Rango de frecuencia
Capacidad en paralelo en la resistencia
Campo eléctrico
Campo magnético
5.2. CARACTERÍSTICAS POR FUNCIÓN
5.2.1. TENSIÓN
„ Características
Rango de medida
Rango de frecuencia
3
Resolución
Precisión
Impedancia de entrada
3: Por encima de 500 Hz, el display secundario indica «- - - -» y el display principal da únicamente una evaluación del valor pico
de la tensión medida.
5.2.2. CORRIENTE
Medida de corriente antes de la medida de aislamiento:
0,000 -
Rango de medida
0,250 nA
Resolución
1 pA
Precisión
15% ± 10 ct
Medida de corriente durante la medida de aislamiento:
0,000 -
Rango de medida
0,250 nA
Resolución
1 pA
Precisión
15% ± 10 ct
Los rangos 0,250 nA y 3.000 µA no se utilizan para calcular la resistencia de aislamiento.
5.2.3. RESISTENCIA DE AISLAMIENTO
„ Método: Medida tensión-corriente según el IEC 61557-2 (Ed. 02/97)
„ Tensión de salida nominal: 500, 1.000, 2.500, 5.000 V
„ Tensión en vacío: 510, 1.020, 2.550, y 5.100 V ± 2% et Un ± 2% en modo variable
„ Paso de ajuste de la tensión variable: 10 V de 40 V a 1.000 V
≥
„ Corriente nominal:
„ Corriente de cortocircuito: 1,6 mA ± 5%
„ Tensión parásita máxima admisible durante la medida: Upeak = 0,4 Un
5. CARACTERÍSTICAS
Valores de referencia
1,0 - 99,9 V
DC y 15 Hz - 500 Hz
0,1 V
1% ± 5 ct
de 750 kΩ a 3 MΩ según la tensión medida
0,250 -
10,00 -
9,999 nA
99,99 nA
1 pA
10 pA
10%
0,250 -
10,00 -
9,999 nA
99,99 nA
1 pA
10 pA
10%
100 V de 1.000 V a 5.100 V
1 mA
a la tensión nominal
dc
23 ± 3 °C
de 45 a 55% HR
9 a 12 V
DC y 15,3...65 Hz
0 µF
nulo
< 40 A/m
100 - 999 V
1.000 – 2.500 V
15 Hz - 500 Hz
1 V
1% ± 1 ct
100,0 -
999,9 nA
9,999 µA
100 pA
100,0 -
999,9 nA
9,999 µA
100 pA
5%
o ajustable de 40 V a 5.100 V
dc
(3,1 mA máx. al inicio de la medida)
15
1.000 – 5.100 V
DC
2 V
2 V
1,000 -
10,00 -
99,99 µA
1 nA
10 nA
5%
1,000 -
10,00 -
99,99 µA
1 nA
10 nA
3%
100,0 -
1000 -
999,9 µA
3.000 µA
100 nA
1 µA
10%
100,0 -
1.000 -
999,9 µA
3000 µA
100 nA
1 µA
5%
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