Vega VEGAPULS 63 Instrucciones De Servicio página 73

Potencia emitida de AF (Dependiente de la parametrización)
Ʋ Densidad de potencia de emisión
media espectral
Ʋ Densidad de potencia de emisión
espectral máxima
Ʋ Densidad de potencia máxima a 1 m
de distancia
Condiciones ambientales
Temperatura ambiente, de almacenaje y
de transporte
Condiciones de proceso
Las especificaciones siguientes sirven como información.Se aplican las especificaciones de orden
superior en la placa de tipos.
Temperatura de proceso
Encapsulamiento de an-
tena
PTFE y PTFE 8 mm
TFM-PTFE y TFM-PT-
FE 8 mm
TFM-PTFE 8 mm
PTFE
PFA y PFA 8 mm
Temperatura de proceso SIP (SIP = Sterilisation in place)
Vale para configuración de equipo apropiada para vapor, es decir conexión de brida o higiénica
con sistema de antena encapsulado.
Admisión de vapor hasta 2 h
Presión de proceso
Conexión a proceso
Estándar (PTFE y PFA)
EIRP: Equivalent Isotropic Radiated Power.
7)
VEGAPULS 63 • Foundation Fieldbus
-14 dBm/MHz EIRP
+43 dBm/50 MHz EIRP
< 1 µW/cm²
-40 ... +80 °C (-40 ... +176 °F)
Versión
Estándar
Baja temperatura
Estándar
Brida Alloy 400 (2.4360)
Junta de proceso adicio-
nal FKM
Junta de proceso adicio-
nal EPDM
Estándar
Alta temperatura
+150 °C (+302 °F)
Versión
Brida PN 6
Brida PN 10 (150 lb)
Brida PN 16 (300 lb),
PN 40 (600 lb)
7)
Temperatura de proceso (medida en la conexión
al proceso)
-40 ... +200 °C (-40 ... +392 °F)
-196 ... +200 °C (-321 ... +392 °F)
-40 ... +150 °C (-40 ... +302 °F)
-10 ... +150 °C (14 ... +302 °F)
-20 ... +130 °C (-4 ... +266 °F)
-40 ... +130 °C (-40 ... +266 °F)
-40 ... +150 °C (14 ... +302 °F)
-40 ... +200 °C (-40 ... +392 °F)
Presión de proceso
-1 ... 6 bar (-100 ... 600 kPa/-14.5 ... 87 psig)
-1 ... 10 bar (-100 ... 1000 kPa/-14.5 ... 145 psig)
-1 ... 16 bar (-100 ... 1600 kPa/-14.5 ... 232 psig)
11 Anexo
73