Tabla de contenido
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Características técnicas
Salidas de transistor
Número de salidas
Contactos
Tensión asignada U
e
Margen admisible
Ondulación residual
Intensidad de alimentación
en estado "0"
en estado "1"
Protección contra polarización invertida
Aislamiento de potencial de las entradas,
alimentación de tensión
Intensidad asignada I
en estado "1"
e
Carga de lámparas
Intensidad residual en estado "0" por canal
Tensión de salida máx.
en estado "0"
con ext. carga
10 M
en estado "1", I
= 0,5 A
e
Protección contra cortocircuitos
Intensidad de disparo por cortocircuito para
R
10 m
a
Intensidad total de cortocircuito máx.
Intensidad de cortocircuito máxima
desconexión térmica
Frecuencia de maniobras máx. con carga
óhmica constante
RL
100 k : Maniobras por hora
Conectabilidad en paralelo de las salidas
en carga óhmica; carga inductiva con módulo
de protección externo (v. Página 45)
Combinación dentro de un grupo
Número de salidas
226
LM0..-.12T., LM0..-.18/20., DX0..
LM0..-.12T.
4
Semiconductor
24 V DC
20,4 a 28,8 V DC
5 %
típ. 9 mA, máx. 16 mA
típ. 12 mA, máx. 22 mA
¡Atención! Si en caso de alimentación con polarización
invertida se pasara tensión por las salidas, se produciría
un cortocircuito
sí
máx. 0,5 A DC
5 vatios sin R
V
0,1 mA
2,5 V
U = U
–1 V
e
sí, térmico (el análisis se efectúa con entrada diagnóstico
I16, I15; R15; R16)
0,7 A
I
2 A (dependiendo del número de los canales
e
activos y de la carga de los mismos)
8 A
16 A
sí
40000 (dependiendo del programa y carga)
Grupo 1: Q1 a Q4
máx. 4
LM0..-.18/20., DX0..
8
Semiconductor
24 V DC
20,4 a 28,8 V DC
5 %
típ. 18 mA, máx. 32 mA
típ. 24 mA, máx. 44 mA
sí
máx. 0,5 A DC
5 vatios sin R
V
0,1 mA
2,5 V
U = U
–1 V
e
16 A
32 A
sí
Grupo 1:
Q1 a Q4, S1 a S4
Grupo 2:
Q5 a Q8, S5 a S8
máx. 4
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