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Datos técnicos generales
Conexión estándar, ejecución con fusible SITOR para semiconductores 3NE o 3NC
(protección de semiconductores con fusible, protección de línea y contra sobrecarga con interruptor automático)
F3
Q1
Q11
Arrancador suave
Fusible semiconductor, mín.
Corriente
nominal
Q11
F3
Tipo
A
Tipo
1)
Tipo asignación 2
: I
= 65 kA
q
3RW44 22 29
3NE4 120
3RW44 23 36
3NE4 121
3RW44 24 47
3NE4 121
3RW44 25 57
3NE4 122
3RW44 26 77
3NE4 124
3RW44 27 93
3NE3 224
3RW44 34 113
3NE3 225
3RW44 35 134
3NE3 225
3RW44 36 162
3NE3 227
3RW44 43 203
3NE3 230-0B
3RW44 44 250
3NE3 230-0B
3RW44 45 313
3NE3 233
3RW44 46 356
3NE3 333
3RW44 47 432
3NE3 335
3RW44 53 551
2 x 3NE3 335
3RW44 54 615
2 x 3NE3 335
3RW44 55 693
2 x 3NE3 335
3RW44 56 780
2 x 3NE3 336
3RW44 57 880
2 x 3NE3 336
3RW44 58 970
2 x 3NE3 336
3RW44 65 1076
2 x 3NE3 340-8 900
3RW44 66 1214
2 x 3NE3 340-8 900
1) Los tipos de asignación se detallan en el apartado de derivaciones sin fusible de la información técnica LV 1 T (sólo disponible en alemán e inglés).
10-20
M
3~
Corriente
Tamaño
asignada
A
80
0
100
0
100
0
125
0
160
0
160
1
200
1
200
1
250
1
315
1
315
1
450
1
450
2
560
2
560
2
560
2
560
2
630
2
630
2
630
2
2
2
F1
Q21
F3
Q11
M
3~
Fusible semiconductor, máx.
Corriente
asignada
F3
Tipo
A
3NE4 121
100
3NE4 122
125
3NE4 122
125
3NE4 124
160
3NE4 124
160
3NE3 333
450
3NE3 335
560
3NE3 335
560
3NE3 333
450
3NE3 333
450
3NE3 333
450
3NE3 336
630
3NE3 336
630
3NE3 338-8
800
3 x 3NE3 334-0B 500
3 x 3NE3 334-0B 500
3 x 3NE3 334-0B 500
2 x 3NE3 340-8
900
2 x 3NE3 340-8
900
2 x 3NE3 340-8
900
3 x 3NE3 338-8
800
3 x 3NE3 338-8
800
Fusible semiconductor (cilindro)
Tamaño
Corriente
asignada
F3
Tipo
A
0
3NC2 280
80
0
3NC2 200
100
0
3NC2 200
100
0
0
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
Manual de sistema SIRIUS 3RW44
GWA 4NEB 535 2195-04 DS 01
Tamaño
22 x 58
22 x 58
22 x 58
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