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FX
-4DA
3U
Ejemplo de configuración
Contenido de la dirección 50 de la memoria = 0110
está activada para los canales 2 y 3.
Valor de la resistencia de carga (direcciones 51 a 54)
Para corregir la resistencia de carga tiene que introducir el valor de la resistencia conectada
realmente a una salida en una de las direcciones 51 a 54 de la memoria búfer.
Dirección de memoria
buffer
51
52
53
54
Tab. 8-28: Asignación de las direcciones 51 a 54 de la memoria búfer
INDICACIONES
Después de la modificación del contenido de las direcciones 50 a 54 de la memoria búfer se
para la emisión de valores analógicos y en la dirección 6 de la memoria (estado de las salidas)
se escribe automáticamente el valor "0000
Cuando se acepta la modificación, en la dirección 6 de la memoria búfer se escribe el valor
"1111
La corrección de la resistencia de carga se puede realizar solo al emitir tensiones (los
modos de salida 0 o 1).
La característica de salida solo se puede corregir para las resistencias de carga entre 1 kW y 30 kW.
Si se excede el límite superior del rango de ajuste, ocurre un error y se activa el bit 7 en la
dirección 29 de la memoria.
Guardar datos en la EEPROM del FX
Los contenidos de las direcciones 50 a 54 de la memoria búfer se escriben también en la
EEPROM del FX
direcciones de la memoria no desconecte la tensión de alimentación del PLC.
En la EEPROM se puede escribir hasta 10000 veces como máximo. Por eso, no transfiera cícli-
camente los valores mediante un programa a una de las direcciones 50 a 54 de la memoria
búfer y, por tanto, al EEPROM.
Serie MELSEC FX
/FX
3G
Descripción
Canal 1
Canal 2
Canal 3
Canal 4
" y la emisión de valores analógicos continúa.
H
-4DA. Por eso, inmediatamente después de transferir datos a una de estas
3U
/FX
, Módulos analógicos
3U
3UC
: La corrección de la resistencia de carga
H
Rango de ajuste
Resistencia de carga [W] de 1000 a 30000 [W]
".
H
-4DA
3U
Memoria búfer
Valor predefinido
30000 [W]
8 - 29
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