SICK HTE18 Manual De Instrucciones página 216

ИНСТРУКЦИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
Q1 = D.ON, NPN (≤ 100 мА)
-Yxxxxx
Q2 = Рабочее состояние, NPN
(≤ 100 мA)
Q1 = L.ON, PNP (≤ 100 мА)
-Gxxxxx
Q2 = Сигнал тревоги, PNP
(≤ 100 мA)
Q1 = L.ON, NPN (≤ 100 мА)
-Hxxxxx
Q2 = Сигнал тревоги, NPN
(≤ 100 мA)
Q1 = D.ON, PNP (≤ 100 мА)
-Jxxxxx
Q2 = Сигнал тревоги, PNP
(≤ 100 мA)
Q1 = D.ON, NPN (≤ 100 мА)
-Kxxxxx
Q2 = Сигнал тревоги, NPN
(≤ 100 мA)
-Mxxxxx Q1 = D.ON, MOSFET (≤ 100 мА)
-Lxxxxx Q1 = L.ON, MOSFET (≤ 100 мА)
216 И Н С Т Р У К Ц И Я П О Э К С П Л У А Т А Ц И И | HTE18
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L1) + (L
Q Q
‒ (N) ‒ (
+ (L1)
Q
‒ (N)
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L+)
Q
‒ (M)
см. таблица 90, страница 217
+ (L1)
Q
‒ (N)
+ (L1) + (L
Q Q
‒ (N) ‒ (
8017851./1HW2/2022-11-14 | SICK
Возможны изменения без уведомления