Pilz PNOZ m EF 8DI4DO Manual De Instrucciones página 20

Datos técnicos
Salidas por semiconductor
Duración máx. del impulso de test de desconexión
Retardo a la desconexión
Separación de potencial
A prueba de cortocircuitos
Datos ambientales
Temperatura ambiente
según normativa
Rango de temperatura
Convección forzosa en el armario de distribución a
partir de
Temperatura de almacenaje
según normativa
Rango de temperatura
Resistencia a la humedad
según normativa
Condensación en funcionamiento
Altitud de funcionamiento máx. sobre nivel del mar
CEM
Vibraciones
según normativa
Frecuencia
Aceleración
Resistencia a los golpes
según normativa
Aceleración
Duración
Distancias de fuga y dispersión superficial
según normativa
Categoría de sobretensión
Grado de suciedad
Tipo de protección
según normativa
Carcasa
Zona de bornes
Lugar de montaje (p. ej., armario de distribución)
Separación de potencial
Separación de potencial entre
Tipo de separación de potencial
Tensión de aislamiento asignada
Tensión de impulso asignada
Datos mecánicos
Posición de montaje
Manual de instrucciones PNOZ m EF 8DI4DO
1002661-ES-05
330 µs
3 ms
Sí
Sí
EN 60068-2-14
0 - 60 °C
55 °C
EN 60068-2-1/-2
-25 - 70 °C
EN 60068-2-30, EN 60068-2-78
no permitido
2000 m
EN 61131-2
EN 60068-2-6
5 - 150 Hz
1g
EN 60068-2-27
15g
11 ms
EN 61131-2
II
2
EN 60529
IP20
IP20
IP54
Salida por semiconductor y tensión del sistema
Aislamiento básico
30 V
2500 V
horizontal sobre guía normalizada
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