VOLTWERK VC 200 Instrucciones De Servicio página 512

4
54
ησιμ ι ί μ σ ημ
ι ί ι , μ ί ι σ
μ ί . σ
:
η ι ι
|
ιώ η η ι
ι ι ι μ σ ημ
ι ι η μη ώ σ
η ι η ι
|
Bipolar Transistor)
μ μι ύ μ
η μ μ ισ η ιμ
ι ί ι σ
|
ι
Distortion, THD)
σ ι ί .
ση ύ ση U
|
μι σ
|
ι
μ σ ημ ισ μ σ ί
σ ώ
ώ
(
)
σι ση (μ ύ
σ
)
μ σ ι ισ ύ
μ σύ ση
ση ύ ση
ύμ μ ι ι
( )
σ σ ι ύ μ
μ ί
η μ σ ημ ισ
η ί ι ί
ισ ί ι
σ ύ 4
ι ι ιώ ι.
ι , ι
ισ μ σ ί σ
.
ί μ σι μ σ IGBT (Insulated Gate
μι ύ μ ί .
ί μ ύ μ ισ
1500 V .
DC
σ μ ση (Total Harmonic
σ σ DC σ
AC
= 4–6 %, σ σ ση μ
K
ι σμ μ σ ημ ισ
η σ η ι η
σ ώ ι ι
ηση .
200 kVA 300 kVA
300 V 300 V
eff eff
200 kVA 300 kVA
Dyn5, Dyn11 Dyn5, Dyn11
Dd0 Dd0
4–6 % 4–6 %
( )
η μ ι ι ί ηση η
ί ί μ σ ημ
σ σ ι
,
μ σ ί σ
.
,
μ μ
ι ύ
ι μ
ι
η ι ί
ύ σ ι η
ί σ ι
μ ί .
μ σ ί σ
ί
ι ι
350 kVA
315 V
eff
350 kVA
Dyn5, Dyn11
Dd0
4–6 %
ισμ ύ
ισ μ
ησιμ ι σ