SICK microScan3 Core I/O Instrucciones De Uso página 156

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DATOS TÉCNICOS
156 I N S T R U C C I O N E S D E U S O | microScan3 Core I/O
Tensión de salida - estado
ON (HIGH)
Tensión de salida - estado
OFF (LOW)
Intensidad de salida - estado
ON (HIGH)
Corriente de fuga 3)
Inductancia de carga
Capacidad de carga
Secuencia de conmutación
(sin conmutación ni super‐
visión simultánea)
Resistividad admisible entre
la carga y el dispositivo
Duración de impulso de
prueba
Intervalo de impulso de prueba
Tiempo del ciclo de explo‐
ración: 30 ms
Tiempo del ciclo de explo‐
ración: 40 ms
Tiempo del ciclo de explo‐
ración: 50 ms
Duración del estado OFF
Tiempo de discrepancia
(desfase de tiempo entre la
conexión de OSSD2 y
OSSD1 dentro de un par de
salidas conmutadas seguras
(OSSD))
Salida universal, E/S universal (configurada como salida)
Tensión de salida HIGH
Tensión de salida LOW
Intensidad de salida HIGH
Corriente de fuga
Tiempo de retardo de
conexión
Tiempo de retardo de desco‐
nexión
Entrada de control estática, entrada universal, E/S universal (configurada como entrada)
Tensión de entrada HIGH
Tensión de entrada LOW
Intensidad de entrada HIGH
Intensidad de entrada LOW
Resistencia de entrada para
HIGH
Capacidad de entrada
microScan3 Core I/O
(V –2,7 V) ... V
S S
0 V ... 2 V
≤ 250 mA por OSSD
≤ 250 µA
≤ 2,2 H
≤ 2,2 µF en serie con 50 Ω
Dependiendo de la inductancia de carga
≤ 2,5 Ω
≤ 300 µs (típ. 230 µs)
240 ms ... 264 ms (típ. 240 ms)
320 ms ... 344 ms (típ. 320 ms)
400 ms
≥ 80 ms
≤ 1 ms (típ. 25 µs)
(V –3,7 V) ... V
S S
0 V ... 2 V
≤ 200 mA
≤ 0,5 mA
40 ms
40 ms
24 V (13 V ... 30 V)
0 V (–30 V ... 5 V)
3 mA ... 6 mA
0 mA ... 2 mA
Típ. 5 kΩ
10 nF
8016349/15ZS/2019-11-14 | SICK
Sujeto a cambio sin previo aviso