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Datos técnicos
13.1
Hoja de datos
8023230/1ET4/2022-02-15 | SICK
Sujeto a cambio sin previo aviso
Tabla 11: Datos generales del sistema
Altura del campo de protección,
según el tipo
Resolución (capacidad de detección) 14 mm
Alcance
1) 2)
Clase de protección
3)
Tipo de protección
Tensión de alimentación U
V
positivo
4)
Ondulación residual
5)
Tipo
Categoría
Nivel de rendimiento
6)
Nivel de integración de la seguri‐
dad
6)
Límite de respuesta SIL
6)
PFHd (probabilidad media de un potencial riesgo por fallo a la hora)
Sistema individual
T
(duración de uso)
M
Estado seguro en caso de fallo
Tiempo de conexión tras aplicar la
tensión de alimentación
Longitud de onda
Salidas conmutadas seguras (OSSD) Semiconductor PNP, a prueba de cortocircuitos
Tensión de corte
HIGH (activo, U
9)
Tensión de corte LOW (inactiva)
Intensidad de conmutación
Corriente de fuga, sistema indivi‐
dual
10)
Capacidad de carga
Secuencia de conmutación
Inductancia de carga
11)
Datos de impulso de prueba
Duración de impulso de prueba
Velocidad de impulso de prueba
Resistencia de línea admisible
Mínimo
300 mm, 420 mm, 600 mm
0 m ... 3,6 m
III (IEC 61140)
IP 65 (IEC 60529)
IP67 (IEC 60529)
del dis‐
19,2 V
Tipo 4 (IEC 61496-1)
Categoría 4 (ISO 13849-1)
PL e (ISO 13849-1)
¡Observe las características de potencia óptica!
Nivel de integridad de seguridad 3 (IEC 61508)
Límite de respuesta sil 3 (IEC 62061)
4,3 x 10
–9
20 años (ISO 13849-1)
Como mínimo una salida conmutada segura (OSSD) se
encuentra en estado OFF.
supervisión de circuitos cruzados
) U
- 2,2 V
eff
v
0 V
0 mA
Dependiendo de la inductancia de carga
12)
120 µs
3 s
-1
DATOS TÉCNICOS
Típico
Máximo
0 m ... 4,5 m
24 V
28,8 V
±10%
3 s
850 nm
24 V
U
v
0 V
2 V
300 mA
0,25 mA
1 µF
2,2 H
150 µs
300µs
5 s
-1
10 s
-1
1,29 Ω
I N S T R U C C I O N E S D E U S O | TWINOX4
13
7)
, con
8)
69
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