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Elemento
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Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones, configuraciones y
compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas) del producto en el sitio web
de Hewlett Packard Enterprise.
Configuraciones de memoria
Para optimizar la disponibilidad del nodo, este admite los siguientes modos AMP:
•
ECC avanzado: Proporciona corrección de errores de hasta 4 bits y un rendimiento superior al del modo
Lockstep (sincronía). Este modo es la opción predeterminada para este nodo.
•
Memoria auxiliar en línea: Proporciona protección contra DIMM estropeadas o deterioradas. Se aparta
una cantidad de memoria determinada como memoria auxiliar; cuando el sistema detecta un DIMM
deteriorado, se cambia automáticamente a la memoria auxiliar (de reserva). Esto permite que los DIMM
que tienen una probabilidad más alta de recibir un error de memoria incorregible (que causaría un tiempo
de inactividad del sistema) dejen de funcionar.
Las opciones de protección de memoria avanzada se configuran en la configuración de la plataforma/BIOS
(RBSU). Si el modo de AMP solicitado no es compatible con la configuración de DIMM instalada, el nodo
arrancará en el modo ECC avanzado. Para obtener más información, consulte la Guía de usuario de las
utilidades del sistema HPE UEFI para servidores ProLiant Gen9 en la página web de Hewlett Packard
Enterprise.
Configuración de memoria ECC avanzada
ECC avanzado es el modo predeterminado de protección de memoria para este nodo. La memoria ECC
estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar los errores de memoria de múltiples
bits. Cuando se detectan errores de varios bits a través de ECC estándar, el error se indica en el nodo y hace
el nodo se detenga.
El modo ECC avanzado protege el nodo contra algunos errores de memoria de varios bits. La memoria ECC
avanzada puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los errores de memoria de 4 bits
si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo dispositivo DRAM del DIMM.
ECC avanzado proporciona más protección que ECC estándar, ya que permite corregir determinado errores
de memoria que, de otro modo, no se corregirían y provocarían fallos en el nodo. Utilizando la tecnología
avanzada de detección de errores en memoria de HPE, el nodo proporciona una notificación cuando un
módulo DIMM se está deteriorando y es más probable que tenga errores de memoria imposibles de corregir.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir la
probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está disponible
independientemente del sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como memoria
auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de las aplicaciones. Si se producen
errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral especificado de cualquiera
de los rangos no auxiliares, el nodo copia automáticamente el contenido de la memoria del rango deteriorado
en el rango auxiliar en línea. A continuación, el nodo desactiva el rango que falla y cambia automáticamente
al rango auxiliar en línea.
Descripción
Velocidad de memoria máxima
Latencia CAS
Tipo de DIMM
Definición
2133 MT/s
P = 15
R = RDIMM (registrado) L =
LRDIMM (carga reducida)
Configuraciones de memoria
93
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