SICK microScan3 Instrucciones De Uso página 140

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DATOS TÉCNICOS
140 I N S T R U C C I O N E S D E U S O | microScan3
Secuencia de maniobras (sin
conmutación ni control
simultáneo)
Resistividad admisible entre
la carga y el aparato
Duración de impulso de
prueba
Intervalo de impulso de prueba
Tiempo de ciclo de explora‐
ción 30 ms
Tiempo de ciclo de explora‐
ción 40 ms
Duración del estado OFF
Tiempo de discrepancia
(desfase de tiempo entre la
conexión de OSSD2 y
OSSD1 dentro de un par de
OSSD)
Salida universal, E/S universal (configurada como salida)
Tensión de salida HIGH
Tensión de salida LOW
Corriente de salida HIGH
Corriente de fuga
Tiempo de retardo a la cone‐
xión
Tiempo de retardo a la des‐
conexión
Entrada de control estática, entrada universal, E/S universal (configurada como entrada)
Tensión de entrada HIGH
Tensión de entrada LOW
Corriente de entrada HIGH
Corriente de entrada LOW
Resistencia de entrada para
HIGH
Capacidad de entrada
Frecuencia de entrada
(secuencia de maniobras
máx.) (en caso de uso como
entrada de control)
Tiempo de exploración
Tiempo de respuesta en
EDM tras la conexión de las
OSSD (en caso de uso como
entrada EDM)
Tiempo para el Rearme del
aparato de mando (en el
caso de usarse como
entrada de Rearme)
Tabla 22: microScan3 Core: Datos eléctricos
microScan3 Core I/O
Dependiendo de la inductancia de carga
≤ 2,5 Ω
≤ 300 µs (típ. 230 µs)
240 ms ... 264 ms (típ. 240 ms)
320 ms ... 344 ms (típ. 320 ms)
≥ 80 ms
≤ 1 ms (típ. 25 µs)
(U – 3,7 V) ... U
V V
0 V ... 2 V
≤ 200 mA
≤ 0,5 mA
40 ms
40 ms
24 V (13 V ... 30 V)
0 V (–30 V ... 5 V)
3 mA ... 6 mA
0 mA ... 2 mA
Típ. 5 kΩ
10 nF
≤ 20 Hz
4 ms
300 ms
60 ms ... 30 s
8016349/2016-01-27 | SICK
Sujeto a cambio sin previo aviso