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5 Descripción sucinta de los componentes
Unidad de fases
Cada unidad de fases está en condiciones de aplicar los tres potenciales +U
ó −U
/2 discrecionalmente a los respectivos bornes de salida. Ello tiene lugar co-
d
nectando 2 de los 6 ramales de semiconductores. Gracias a la estructura simétri-
ca, es posible limitar los distintos pasos de cambio a 2 estados de conmutación:
1. de 0 a +U
2. de +U
Al aplicarse la tensión negativa a la salida transcurre la conmutación de forma si-
métricamente inversa. A fin de simplificar el control de los impulsos, son activadas
las dos válvulas (V2 y V3) para aplicar el potencial 0 a la rama de salida. V1, V2,
V3 y V4 son las válvulas (módulos HV-IGBT) que pueden ocupar el estado de
paso o de bloqueo mediante un impulso de conexión o desconexión. Los diodos
de acción libre correspondientes se denominan VD1, VD2 (diodos de acción libre
de V1 y V2), etc.
Figura 5-5
Estados de conmutación
♦ Para aplicar el potencial
V2.
♦ Para aplicar el potencial
V4.
♦ Para aplicar el potencial 0 a la salida de fase, son activados los HV-IGBT V2 y
V3.
62
/2
d
/2 a 0
d
Circuito
intermedio
+(C)
+U
/2
d
D2
0(M)
D3
−U
/2
d
−(D)
Esquema sinóptico de una unidad de fases
+
a la salida de fase, son activados los HV-IGBT V1 y
−
a la salida de fase, son activados los HV-IGBT V3 y
Unidad
de fases
V1
VD1
V2
VD2
Salida
de fase
V3
VD3
V4
VD4
Siemens AG
SIMOVERT MV
Edición 09.2001
/2, 0
d
6SE8001-1AJ78
Descripción
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