Endress+Hauser Memograph M RSG45 Manual De Instrucciones página 112

Gestor de datos avanzado
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Datos técnicos
Variable medida
Valores de alama (estado estacionario, sin
destruir la entrada)
Termorresistencia
Corriente de medida: ≤1 mA
(RTD)
Termoelementos
Voltaje de entrada máximo admisible: 24 V
(TC)
Valores de alarma de tensión y corriente de entrada, así como detección de rotura de línea:
Variable medida
Valores de alama (estado estacionario, sin
destruir la entrada)
Corriente (I)
Voltaje de entrada máximo admisible: 0,5 V
Corriente de entrada máxima admisible: 50
mA
Memoria interna de 256 MB:
Entradas
Canales en grupos
analógicas
1
1/0/0/0/0/0/0/0/0/0
4
4/0/0/0/0/0/0/0/0/0
8
4/4/0/0/0/0/0/0/0/0
112
Carga máxima y parámetros de entrada adicionales de las tarjetas HART®
Velocidad de lectura
Entrada de corriente/voltaje/impulsos/frecuencia: 100 ms por canal
Termoelementos y termómetros de resistencia: 1 s por canal
Almacenamiento de datos / ciclo de memoria
Escoja entre los siguientes ciclos de memoria: off / 100 ms / 1s / 2s / 3s / 4s / 5s / 10s /
15s / 20s / 30s / 1min / 2min / 3min / 4min / 5min / 10min / 15min / 30min / 1h
Se puede seleccionar el almacenamiento de alta velocidad (100 ms) para hasta 8
canales solo en el Grupo 1.
El almacenamiento de alta velocidad no está disponible en el paquete para energía
(opción).
Longitud de registro habitual
Requisitos indispensables para las siguientes tablas:
• No se ha infringido/incluido ningún valor de alarma
• No se utilizan entradas digitales
• Análisis de señal 1: desconectada, 2: día, 3: mes, 4: año
• No hay canales matemáticos activos
Las entradas frecuentes en el registro de eventos disminuyen el rendimiento de la
memoria.
Ciclo de almacenamiento (semanas, días, horas)
5 min
1 min
1796, 6, 13
362, 5, 17
1319, 2, 23
267, 5, 17
661, 4, 3
133, 6, 21
Detección de rotura de línea/influencia de línea/compensación de
temperatura
Resistencia máxima de barrera (o resistencia de línea):
a 4 hilos: máx. 200 Ω; a 3 hilos: máx. 40 Ω
Influencia máxima de la resistencia de barrera (o resistencia de línea) en caso
de Pt100, Pt500 y Pt1000: a 4 hilos: 2 ppm/Ω, a 3 hilos: 20 ppm/Ω
Influencia máxima de la resistencia de barrera (o resistencia de línea) en caso
de Pt46, Pt50, Cu50, Cu53, Cu100 y Cu500: a 4 hilos: 6 ppm/Ω, a 3 hilos: 60
ppm/Ω
Monitorización de rotura de línea si se interrumpe una conexión.
Influencia de la resistencia en línea: <0,001 %/Ω
Error, compensación interna de temperatura: ≤ 2 K
Detección de rotura de línea
Rango de 4 a 20 mA con monitorización desconectable de rotura de línea
según NAMUR NE43. Se consideran los siguientes rangos de error cuando la
monitorización de NAMUR NE43 está activa:
≤3,8 mA: bajo rango
≥20,5 mA: sobrerrango
≤ 3,6 mA o ≥ 21,0 mA: circuito abierto (en el indicador se visualiza: – – – –)
30 s
181, 4, 9
134, 1, 2
67, 0, 16
Memograph M, RSG45
10 s
1 s
60, 4, 3
6, 0, 10
44, 5, 10
4, 3, 8
22, 2, 17
2, 1, 16
Endress+Hauser

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