Τοποθέτηση των ηλεκτροδίων ΗΚΓ επιφανείας
Πρέπει να συλλεχθεί το ΗΚΓ επιφανείας στη θέση που αντιστοιχεί στην
ενδεδειγμένη θέση του εμφυτευμένου Συστήματος S-ICD. Κατά την
τοποθέτηση του Συστήματος S-ICD στην τυπική θέση εμφύτευσης,
τα ηλεκτρόδια ΗΚΓ επιφανείας πρέπει να τοποθετούνται ως εξής
(Σχήμα 1 Τυπική τοποθέτηση ηλεκτροδίων ΗΚΓ επιφανείας για την
αξιολόγηση ασθενούς). Εάν θέλετε να τοποθετήσετε ένα μη τυπικό
υποδόριο ηλεκτρόδιο Συστήματος S-ICD ή γεννήτρια ερεθισμάτων,
πρέπει να τροποποιήσετε ανάλογα τις θέσεις των ηλεκτροδίων
ΗΚΓ επιφανείας.
Για τυπική εμφύτευση:
• To Ηλεκτρόδιο ΗΚΓ LL πρέπει να τοποθετηθεί σε πλάγια θέση,
στο 5ο μεσοπλεύριο διάστημα κατά μήκος της μεσομασχαλιαίας
γραμμής, ώστε να αντιπροσωπεύει την ενδεδειγμένη θέση της
εμφυτευμένης γεννήτριας ερεθισμάτων.
• Το Ηλεκτρόδιο ΗΚΓ LA πρέπει να τοποθετηθεί 1 cm αριστερά και
πλάγια της ξιφοειδούς μεσαίας γραμμής, ώστε να αντιπροσωπεύει
την ενδεδειγμένη θέση του εγγύς ηλεκτροδίου αίσθησης του
εμφυτευμένου υποδόριου ηλεκτροδίου.
• Το Ηλεκτρόδιο ΗΚΓ RA πρέπει να τοποθετηθεί 14 cm πάνω από
το Ηλεκτρόδιο ΗΚΓ LA, ώστε να αντιπροσωπεύει την ενδεδειγμένη
θέση του περιφερικού άκρου αίσθησης του εμφυτευμένου
υποδόριου ηλεκτροδίου.
▪ Μετρήστε 14 cm χρησιμοποιώντας το εργαλείο αξιολόγησης
ασθενών, Μοντέλο 4744, ή άλλο εργαλείο μέτρησης.
• Το Ηλεκτρόδιο ΗΚΓ RL συνιστάται για την επιθυμητή θέση ώστε
να εξυπηρετεί ως ηλεκτρόδιο αναφοράς ασθενούς.
191